Intel et SK hynix sont en pourparlers pour établir des lignes de production DRAM aux États-Unis, marquant la première initiative de ce type. Selon des sources, Intel pourrait collaborer avec SK hynix dans une coentreprise pour acquérir une technologie de propriété intellectuelle mémoire, ou SK hynix pourrait louer une partie de l'installation d'Intel dans l'Ohio. Une coentreprise soulagerait les pressions de la chaîne d'approvisionnement pour les hyperscalers et les concepteurs de puces sans usine.

Alternativement, si SK hynix loue l'installation de l'Ohio, elle paierait des primes tout en conservant toute la production. Reuters rapporte que l'objectif principal est de produire de la DRAM plane régulière, de la HBM et des solutions de stockage NAND Flash. Intel a refusé de commenter mais a confirmé les investissements en cours dans l'Ohio.

SK hynix a déclaré qu'elle n'avait pas finalisé de décision mais n'a pas exclu de futures collaborations. La décision dépend de plusieurs facteurs, y compris une éventuelle révision du ministère du Commerce sud-coréen sous la loi sur la protection de la technologie industrielle si une technologie nationale de base est impliquée. Pour Intel, réintégrer la fabrication de DRAM améliorerait son portefeuille de produits, augmenterait l'occupation de sa fonderie et diversifierait ses sources de revenus.