Intel y SK hynix están en conversaciones para establecer líneas de producción de DRAM en Estados Unidos, marcando la primera iniciativa de este tipo. Según fuentes, Intel podría colaborar con SK hynix en una empresa conjunta para adquirir tecnología de propiedad intelectual de memoria, o SK hynix podría arrendar parte de la instalación de Intel en Ohio. Una empresa conjunta aliviaría las presiones de la cadena de suministro para hiperescaladores y diseñadores de chips fabless.

Alternativamente, si SK hynix arrienda la instalación de Ohio, pagaría primas mientras retiene toda la producción. Reuters informa que el objetivo principal es producir DRAM planar regular, HBM y soluciones de almacenamiento NAND Flash. Intel declinó hacer comentarios pero confirmó las inversiones en curso en Ohio.

SK hynix declaró que no ha finalizado ninguna decisión pero no descartó futuras colaboraciones. La decisión depende de varios factores, incluida una posible revisión del Ministerio de Comercio de Corea del Sur bajo la Ley de Protección de Tecnología Industrial si está involucrada tecnología nacional clave. Para Intel, volver a la fabricación de DRAM mejoraría su cartera de productos, aumentaría la ocupación de su foundry y diversificaría sus fuentes de ingresos.