Intel und SK hynix führen Gespräche über die Einrichtung von DRAM-Produktionslinien in den Vereinigten Staaten, was die erste Initiative dieser Art darstellt. Laut Quellen könnte Intel mit SK hynix in einem Joint Venture zusammenarbeiten, um Speicher-IP-Technologie zu erwerben, oder SK hynix könnte einen Teil von Intels Anlage in Ohio mieten. Ein Joint Venture würde Lieferketten-Druck für Hyperscaler und fablose Chip-Designer verringern.

Alternativ, wenn SK hynix die Ohio-Anlage mietet, würde es Prämien zahlen, während es die gesamte Produktion behält. Reuters berichtet, dass das Hauptziel die Produktion von regulärem planarem DRAM, HBM und NAND-Flash-Speicherlösungen ist. Intel lehnte einen Kommentar ab, bestätigte aber laufende Investitionen in Ohio.

SK hynix erklärte, keine endgültige Entscheidung getroffen zu haben, schloss aber zukünftige Zusammenarbeit nicht aus. Die Entscheidung hängt von mehreren Faktoren ab, einschließlich einer möglichen Prüfung durch das südkoreanische Handelsministerium gemäß dem Gesetz zum Schutz industrieller Technologien, wenn nationale Kerntechnologien betroffen sind. Für Intel würde der Wiedereinstieg in die DRAM-Fertigung das Produktportfolio erweitern, die Foundry-Auslastung erhöhen und die Einnahmequellen diversifizieren.