インテルとSK hynixは、米国にDRAM生産ラインを設立するための協議を行っており、これはこの種の最初の取り組みとなります。関係筋によると、インテルはメモリIP技術を取得するためにSK hynixと合弁事業で協力する可能性があるか、またはSK hynixがオハイオ州にあるインテルの施設の一部を賃借する可能性があります。合弁事業は、ハイパースケーラーとファブレスチップ設計者のサプライチェーン圧力を緩和するでしょう。あるいは、SK hynixがオハイオ州の施設を賃借する場合、プレミアムを支払いながら全生産量を保持することになります。ロイター通信によると、主な目標は通常のプレーナーDRAM、HBM、NANDフラッシュストレージソリューションの生産です。インテルはコメントを控えましたが、オハイオ州への継続的な投資を確認しました。SK hynixは最終決定には至っていないものの、将来的な協力の可能性を否定しませんでした。この決定は、国家中核技術が関与する場合、韓国産業通商資源部による産業技術保護法に基づく審査の可能性など、いくつかの要因に依存します。インテルにとって、DRAM製造への再参入は製品ポートフォリオの強化、ファウンドリ稼働率の向上、収益源の多様化につながります。