Intel e SK hynix estão em negociações para estabelecer linhas de produção de DRAM nos Estados Unidos, marcando a primeira iniciativa desse tipo. Segundo fontes, a Intel pode colaborar com a SK hynix em uma joint venture para adquirir tecnologia de propriedade intelectual de memória, ou a SK hynix pode alugar parte da instalação da Intel em Ohio. Uma joint venture aliviaria as pressões da cadeia de suprimentos para hyperscalers e designers de chips fabless.

Alternativamente, se a SK hynix alugar a instalação de Ohio, pagará prêmios enquanto retém toda a produção. A Reuters relata que o objetivo principal é produzir DRAM planar regular, HBM e soluções de armazenamento NAND Flash. A Intel recusou-se a comentar, mas confirmou investimentos contínuos em Ohio.

A SK hynix afirmou que não finalizou nenhuma decisão, mas não descartou colaborações futuras. A decisão depende de vários fatores, incluindo uma possível revisão do Ministério do Comércio da Coreia do Sul sob a Lei de Proteção de Tecnologia Industrial se tecnologia nacional essencial estiver envolvida. Para a Intel, voltar à fabricação de DRAM melhoraria seu portfólio de produtos, aumentaria a ocupação da foundry e diversificaria suas fontes de receita.