Intel и SK hynix ведут переговоры об установке производственных линий DRAM в Соединенных Штатах, что является первой такой инициативой. По словам источников, Intel может сотрудничать с SK hynix в совместном предприятии для приобретения технологии интеллектуальной собственности памяти, или SK hynix может арендовать часть объекта Intel в Огайо. Совместное предприятие облегчит давление на цепочки поставок для гипермасштабируемых компаний и бесзаводских проектировщиков чипов. Альтернативно, если SK hynix арендует объект в Огайо, она будет платить премии, сохраняя весь объем производства. Reuters сообщает, что основная цель — производство обычной планарной DRAM, HBM и решений для хранения NAND Flash. Intel отказался от комментариев, но подтвердил продолжающиеся инвестиции в Огайо.

SK hynix заявила, что не приняла окончательного решения, но не исключила будущее сотрудничество. Решение зависит от нескольких факторов, включая возможное рассмотрение Министерством торговли Южной Кореи в соответствии с Законом о защите промышленных технологий, если задействованы национальные ключевые технологии. Для Intel возвращение к производству DRAM расширит портфолио продуктов, увеличит загрузку фабрики и диверсифицирует источники дохода.