Intel dan SK hynix sedang dalam pembicaraan untuk mendirikan lini produksi DRAM di Amerika Serikat, menandai inisiatif pertama kali seperti ini. Menurut sumber, Intel mungkin berkolaborasi dengan SK hynix dalam joint venture untuk mengakuisisi teknologi IP memori, atau SK hynix bisa menyewa bagian dari fasilitas Intel di Ohio. Joint venture akan meringankan tekanan rantai pasokan untuk hyperscaler dan desainer chip fabless.

Alternatifnya, jika SK hynix menyewa fasilitas Ohio, ia akan membayar premi sambil mempertahankan seluruh produksi. Reuters melaporkan tujuan utamanya adalah memproduksi DRAM planar reguler, HBM, dan solusi penyimpanan NAND Flash. Intel menolak berkomentar tapi mengonfirmasi investasi berkelanjutan di Ohio.

SK hynix menyatakan belum memutuskan keputusan final tapi tidak menutup kemungkinan kolaborasi di masa depan. Keputusan bergantung pada beberapa faktor, termasuk potensi tinjauan Kementerian Perdagangan Korea Selatan di bawah Undang-Undang Perlindungan Teknologi Industri jika teknologi inti nasional terlibat. Bagi Intel, re-entry ke manufaktur DRAM akan memperkaya portofolio produk, meningkatkan okupansi foundry, dan mendiversifikasi aliran pendapatan.