SK hynix Reportedly Faces Difficulties in HBM Hybrid Bonding, Trailing Samsung

According to a process development engineer at SK hynix's future technology research institute, who spoke with Damnang, SK hynix is reportedly facing challenges in developing hybrid bonding technology for its HBM memory. These issues are significant enough that SK hynix has not yet begun production of samples, while Samsung has reportedly already sent out samples of HBM manufactured using hybrid bonding to customers.

If true, this represents a major setback for SK hynix, whose HBM has held the top spot in global market share by revenue. This could potentially lead to a loss of market share among customers who require higher capacities, better performance, and more advanced technology from their HBM suppliers.

For those unfamiliar, hybrid bonding creates a permanent bond between two silicon chips using embedded metal bumps that are fused together to form a single chip. Multiple dies or entire silicon wafers can be connected by stacking the back ends of two chips together. This technology eliminates traditional chip bumps and directly bonds copper interconnections between the two chips.

Essentially, hybrid bonding can create shorter distances, reducing latency and improving performance, lowering signal distortion, and offering many other benefits. Whether any of this will impact SK hynix's market share depends on customer needs and their respective opinions. For example, among HBM shipments, which are now dominated by HBM3E and HBM4, SK hynix is the leading manufacturer with a 50% share, while Samsung holds 33%. SK hynix has experienced a slight decline, as the company previously captured 64% of the global spending on HBM memory but is now down to 50% as Samsung gains momentum.

وفقاً لمهندس تطوير العمليات في معهد بحوث التكنولوجيا المستقبلية لـ SK hynix، الذي أجرى مقابلة مع Damnang، يُزعم أن SK hynix يواجه تحديات في تطوير تكنولوجيا الربط الهجين لذاكرة HBM. هذه المشكلات كبيرة بما يكفي لكون SK hynix لم يبدأ بعد إنتاج العينات، بينما يُزعم أن Samsung أرسل بالفعل عينات HBM تم تصنيعها باستخدام الربط الهجري إلى العملاء.

إذا كان ذلك صحيحاً، فهذا يمثل انتكاسة كبيرة لـ SK hynix، whose HBM حاز على الصدارة في حصة السوق العالمية من حيث الإيرادات. هذا قد يؤدي محتملاً إلى فقدان حصة السوق بين العملاء الذين يتطلبون سعات أكبر، أداء أفضل، وتقنيات أكثر تقدمًا من موردي HBM لديهم.

أما لأولئك غير familiar، فالربط الهجين يخلق رابطة دائمة بين دوائين من السيليكون باستخدام نتوءات معدنية مضمرة يتم دمجها معاً لتشكيل شريحة واحدة. يمكن ربط عدة Dies أو الواح سيليكون كاملة عن طريق تجميع الأطراف الخلفية لاثنين من الرقائق معاً. هذه التكنولوجيا تلغي النتوءات التقليدية للأجهزة وتربط التوصيلات النحاسية مباشرة بين الدوائين.

بشكل أساسي، الربط الهجين يمكن أن يخلق مسافات أقصر، مما يقلل من اللاتنس ويحسن الأداء، ويقلل من تشويه الإشارة، ويوفر العديد من الفوائد الأخرى. سواء كان ذلك سيؤثر على حصة السوق لـ SK hynix يعتمد على احتياجات العملاء وآرائهم الفردية. على سبيل المثال، ضمن شحنات HBM، التي تهيمن حالياً على HBM3E و HBM4، SK hynix هو الصانع الرائد بحصة سوقية تبلغ 50%، بينما Samsung تمتلك 33%. SK hynix شهد انخفاضاً طفيفاً، حيث كانت الشركة previously تحتل 64% من الإنفاق العالمي على ذاكرة HBM، لكنها الآن انخفضت إلى 50% بينما Samsung تكتسب زخماً.

SK hynix ভবিষ্যৎ প্রযুক্তি গবেষণা ইনস্টিটিউটে প্রক্রিয়াশীল ইঞ্জিনিয়ার Damnang সাথে কথা বলতে পেলে, SK hynix HBM-র জন্য hibrid bonding প্রযুক্তি বিকাশে সমস্যার সম্মুখীন। এই সমস্যাগুলো ততটু গুরুত্বপূর্ণ যে SK hynix এখনো নমুনা উৎপাদন শুরু করেনি, আর Samsung reportedly গ্রাহকদের কাছে hibrid bonding ব্যবহার করে তৈরি HBM-এর নমুনা পাঠিয়েছে।

যদি এটি সত্য হয়, তবে এটি SK hynix জন্য একটি বড় প্রত্যাহার, যাদের HBM-র দিয়ে বিশ্বব্যাপী বাজার অংশ (revenue) তৃপ্ত। এটি সম্ভবত এমন গ্রাহকদের কাছ থেকে বাজার অংশ হারাতে পারে যাদের HBM সরবরাহকারীদের থেকে বেশি ক্ষমতা, বেঁচ Marks performance এবং আরও উন্নত প্রযুক্তির প্রয়োজন।

অনভিজ্ঞদের জন্য, hibrid bonding দুটি সিলিকন চিপের মধ্যে স্থায়ী বন্ধন তৈরি করে, যেখানে অন্তর্নিহিত ধাতু বাম্পস ব্যবহার করা হয় যেগুলো একসাথে মিলে একক চিপ তৈরি করে। বহু dies বা সম্পূর্ণ সিলিকন ওয়ারকে দুটি চিপের পেছনের শেষে স্ট্যাক করে জড়িত করা সম্ভব। এই প্রযুক্তি ঐতিহ্যবাহী চিপ বাম্পস মুছে ফেলে এবং দুটি চিপের মধ্যে সরাসরি তামার interconnections তৈরি করে।

ভিত্তিতে, hibrid bonding ছোট দূরত্ব তৈরি করতে পারে, ল্যাটেন্সি কমিয়ে কর্মক্ষমতা বাড়ায়, সিগন্যাল歪斷 কমায়, এবং অনেক অন্যান্য সুবিধা প্রদান করতে পারে। SK hynix বাজার অংশে কী প্রভাব পড়বে, এটি গ্রাহকদের প্রয়োজনীয়তা এবং তাদের যন্ত্রের মতভেদে নির্ভরশীল। উদাহরণস্বরূপ, HBM shipment-র মধ্যে, যা এখন HBM3E এবং HBM4 দ্বারাctrl, SK hynix অগ্রণী ম্যানুফ্যাকচারার, যার অংশ ৫০%। আর Samsung এর অংশ ৩৩%। SK hynix হালকা হ্রাস অভিজ্ঞতা করেছে, কারণ আগে এই компанিটি বিশ্বব্যাপী HBM মেমরি ব্যয়ের ৬৪% কapture করেছিল, কিন্তু Samsung এর উদয়ের সাথে এখন ৫০% পর্যন্ত পৌঁছে গেছে।

Laut einem Prozessentwicklungsingenieur im Zukunftstechnologie-Forschungsinstitut von SK hynix, der mit Damnang sprach, SK hynix habe Schwierigkeiten bei der Entwicklung der Hybrid-Bonding-Technologie für seinen HBM-Speicher. Diese Probleme sind erheblich, sodass SK hynix noch nicht einmal die Musterproduktion begonnen habe, während Samsung reportedly bereits Proben von per Hybrid-Bonding hergestellten HBM an Kunden ausgeliefert habe.

Stimmt dies, ist dies ein erheblicher Rückschlag für SK hynix, dessen HBM den ersten Platz im globalen Marktanteil nach Umsatz belegt. Dies könnte potenziell zu einem Verlust des Marktanteils bei Kunden führen, die größere Kapazitäten, bessere Leistung und fortschrittlichere Technologie von ihren HBM-Lieferanten verlangen.

Hybrid Bonding verbindet zwei Silizium-Chips dauerhaft mittels in Kupferbühnen eingelassener Metall-Bumps, die miteinander verschmolzen werden, um einen Chip zu bilden. Mehrere Dies oder ganze Silizium-Wafer können durch Stapeln der Rückseiten zweier Chips miteinander verbunden werden. Diese Technologie eliminiert herkömmliche Chip-Bumps und verbindet die Kupfer-Interconnections zwischen den beiden Chips direkt.

Im Grunde kann Hybrid Bonding kürzere Distanzen erzeugen, die Latenz reduzieren und die Leistung verbessern, Signalverzerrungen verringern und viele weitere Vorteile bieten. Ob dies den Marktanteil von SK hynix beeinflusst, hängt von den Kundenbedürfnissen und deren jeweiligen Meinungen ab. Beispielsweise dominieren derzeit HBM3E und HBM4 die HBM-Lieferungen, SK hynix ist führender Hersteller mit einem Marktanteil von 50%, während Samsung 33% hält. SK hynix hat leicht nachgelassen, da das Unternehmen zuvor 64% des globalen Umsatzes mit HBM-Speicher erfasst hat, aber nun bei 50% steht, während Samsung an Schwung gewinnt.

Según un ingeniero de desarrollo de procesos en el Instituto de Investigación de Tecnologías Futuras de SK hynix, quien habló con Damnang, SK hynix estaría reportando dificultades para desarrollar la tecnología de acoplamiento híbrido para su memoria HBM. Estos problemas son lo suficientemente significativos como para que SK hynix aún no haya comenzado la producción de muestras, mientras que Samsung habría enviado ya muestras de HBM fabricado usando acoplamiento híbrido a clientes.

Si es cierto, esto representa un revés importante para SK hynix, cuyo HBM ha ocupado el primer puesto en participación de mercado global por ingresos. Esto podría potencialmente llevar a la pérdida de participación de mercado entre los clientes que requieren capacidades mayores, mejor rendimiento y tecnología más avanzada de sus proveedores de HBM.

Para quienes no están familiarizados, el acoplamiento híbrido crea un enlace permanente entre dos chips de silicio usando bloques de metal incrustados que se fusionan para formar un solo chip. Varios dies o láminas de silicio completas pueden conectarse apilando los extremos traseros de dos chips juntos. Esta tecnología elimina los tradicionales bloques de chips y une directamente las interconexiones de cobre entre los dos chips.

En esencia, el acoplamiento híbrido puede crear distancias más cortas, reduciendo la latencia y mejorando el rendimiento, reduciendo la distorsión de la señal y ofreciendo muchos otros beneficios. Si bien esto afectará o no la participación de mercado de SK hynix depende de las necesidades de los clientes y sus respectivas opiniones. Por ejemplo, entre los envíos de HBM, que ahora están dominados por HBM3E y HBM4, SK hynix es el fabricante líder con una participación del 50%, mientras que Samsung posee el 33%. SK hynix ha experimentado una ligera disminución, ya que la empresa anteriormente capturó el 64% del gasto global en memoria HBM, pero ahora ha descendido al 50% mientras Samsung gana impulso.

Selon un ingénieur en développement de processus au Institut de recherche sur les technologies futures de SK hynix, qui a parlé avec Damnang, SK hynix rencontrerait des difficultés pour développer la technologie de liaison hybride pour sa mémoire HBM. Ces problèmes sont suffisamment importants pour que SK hynix n'ait pas encore commencé la production d'échantillons, tandis que Samsung aurait déjà envoyé des échantillons de HBM fabriqué utilisant la liaison hybride aux clients.

Si cela est vrai, cela représente un revers majeur pour SK hynix, dont la mémoire HBM a occupé la première place sur le marché mondial des revenus. Cela pourrait potentiellement entraîner une perte de part de marché parmi les clients nécessitant des capacités supérieures, de meilleures performances et une technologie plus avancée de leurs fournisseurs de HBM.

Pour ceux qui ne le savent pas, la liaison hybride crée un lien permanent entre deux puces de silicium à l'aide de bosses métalliques incrustées qui sont fusionnées pour former une puce unique. Plusieurs dies ou tranches de silicium entières peuvent être connectées en empilant les dos arrière de deux puces ensemble. Cette technologie supprime les bosses traditionnelles des puces et relie directement les interconnexions en cuivre entre les deux puces.

Essentiellement, la liaison hybride peut créer des distances plus courtes, réduisant la latence et améliorant les performances, réduisant la distorsion du signal et offrant de nombreux autres avantages. Que cela ait un impact sur la part de marché de SK hynix dépend des besoins des clients et de leurs opinions respectives. Par exemple, parmi les envois de HBM, qui sont désormais dominés par HBM3E et HBM4, SK hynix est le fabricant leader avec une part de 50%, tandis que Samsung détient 33%. SK hynix a connu une légère baisse, la société ayant previously capturé 64% des dépenses mondiales sur la mémoire HBM, mais est maintenant en baisse à 50% tandis que Samsung gagne en momentum.

एक SK hynix के भविष्य प्रौद्योगिकी अनुसंधान संस्थान में प्रक्रिया विकास इंजीनियर द्वारा Damnang के साथ बातचीत के अनुसार, SK hynix HBM के लिए मिश्रित बॉन्डिंग तकनीक विकसित करने में चुनौतियों का सामना कर रहा है। ये मुद्दे काफी गंभीर हैं कि SK hynix अभी तक नमूनों के उत्पादन शुरू नहीं किया है, जबकि Samsung ने reportedly ग्राहकों को HBM के मिश्रित बॉन्डिंग के उपयोग से निर्मित नमूने भेज दिए हैं।

यदि सच है, तो यह SK hynix के लिए एक प्रमुख झटका है, जिसका HBM वैश्विक बाजार हिस्सेदारी राजस्व द्वारा शीर्ष स्थान रखता है। इससे उन ग्राहकों से बाजार हिस्सेदारी खोने की संभावना हो सकती है जिन्हें अपने HBM आपूर्तिकर्ताओं से अधिक क्षमता, बेहतर प्रदर्शन और अधिक उन्नत तकनीक की आवश्यकता है।

जिन लोगों के लिए अज्ञात है, मिश्रित बॉन्डिंग दो सिलिकॉन चिप्स के बीच स्थायी बॉन्ड बनाता है, जिसमें एम्बेडेड धातु के बम्प्स का उपयोग किया जाता है जिसे एक साथ मिलाकर एकल चिप बनाया जाता है। कई dies या पूरी सिलिकॉन वेफर को दो चिप्स के पीछे के अंत को stacking करके जोड़ा जा सकता है। यह तकनीक पारंपरिक चिप बम्प्स को समाप्त करती है और दो चिप्स के बीच सीधे तांबे की interconnections बनाती है।

बुनियादी रूप से, मिश्रित बॉन्डिंग छोटी दूरी बना सकता है, विलंबता को कम करके प्रदर्शन में सुधार कर सकता है, sinal विकृति को कम कर सकता है, और कई अन्य लाभ प्रदान कर सकता है। चाहे कोई भी हो, यह SK hynix के बाजार हिस्सेदारी पर प्रभाव डालेगा, यह ग्राहक की आवश्यकताओं और उनकी respective राय पर निर्भर करता है। उदाहरण के लिए, HBM शिपमेंट में, जिसे अब HBM3E और HBM4 द्वारा dominate किया गया है, SK hynix अग्रणी निर्माता है जिसमें 50% हिस्सा है, जबकि Samsung के पास 33% है। SK hynix ने मामूली गिरावट देखी है, क्योंकि कंपनी पहले वैश्विक HBM स्मृति पर खर्च के 64% पर कब्जा कर चुका था, लेकिन अब Samsung के लाभ के साथ 50% तक गिर गया है।

Menurut insinyur pengembangan proses di Institut Teknologi Masa Depan SK hynix, yang berbicara dengan Damnang, SK hynix menghadapi tantangan dalam pengembangan teknologi Hybrid Bonding untuk memori HBM. Masalah ini cukup signifikan sehingga SK hynix belum memulai produksi sampel, sementara Samsung reportedly sudah mengirim sampel HBM yang dibuat dengan Hybrid Bonding ke klien.

Jika benar, ini merupakan penarikan mundur besar bagi SK hynix, yang memiliki HBM yang menduduki posisi pertama di pasar global berdasarkan pendapatan. Ini dapat potensial menyebabkan loss market share among pelanggan yang memerlukan kapasitas yang lebih tinggi, performa yang lebih baik, dan teknologi yang lebih maju dari pemasok HBM mereka.

Untuk yang tidak acquainted, Hybrid Bonding menggunakan logam yang tertanam untuk membuat ikatan permanen antara dua chip silikon, yang digabungkan untuk membentuk chip satu. Banyak dies atau wafer silikon penuh dapat dihubungkan dengan menumpuk ujung belakang dua chip bersama-sama. Teknologi ini menghilangkan bump chip tradisional dan secara langsung menghubungkan interkoneksi tembok antara dua chip.

Secara esensial, Hybrid Bonding dapat menciptakan jarak yang lebih pendek, mengurangi latency dan meningkatkan performa, mengurangi distorsi sinyal, dan menyediakan banyak manfaat lainnya. Apakah ini akan mempengaruhi market share SK hynix tergantung pada kebutuhan pelanggan dan pendapat masing-masing. Misalnya, pada pengiriman HBM, yang sekarang didominasi HBM3E dan HBM4, SK hynix adalah produsen utama dengan bagian 50%, sementara Samsung memiliki 33%. SK hynix telah mengalami penurunan slight, karena perusahaan sebelumnya menangkap 64% dari pengeluaran global pada memori HBM, tetapi sekarang turun ke 50% saat Samsung mendapat momentum.

SK hynix 未来技術研究所のプロセス開発エンジニアDamnangとのインタビューによると、 SK hynix はHBMのハイブリッドボンディング技術開発で課題を抱えている。これらの問題は深刻で、SK hynix はまだサンプル生産を開始しておらず、 Samsung は reportedly 顧客にハイブリッドボンディングで製造された HBM のサンプルを送っている。

もし事実であれば、これは SK hynix にとって大きな挫折となり、収益に基づく世界市場シェアで首位を占めていたHBMの地位が脅かされる可能性がある。顧客がより高容量、より良い性能、より高度な技術を必要とする場合、 SK hynix から市場シェアを失う可能性がある。

未知の方に向けて、ハイブリッドボンディングは、埋め込まれた金属のボンプを使用して2つのシリコンチップ間に永続的な結合を作成し、それらを融合して1つのチップに形成する技術です。複数のdiesや全体のシリコンウェファーは、2つのチップの裏面を積み重ねることで接続できます。この技術は従来のチップボンプを排除し、2つのチップ間で直接銅のinterconnectionsを形成します。

本質的に、ハイブリッドボンディングは距離を短縮し、レイテンシを低減し、パフォーマンスを向上させ、信号歪みを低減し、その他多くの利点を提供します。 SK hynix の市場シェアへの影響は、顧客のニーズとそれぞれの意見に依存します。例えば、HBM出荷では現在HBM3EとHBM4が主導しており、SK hynix は50%のシェアでリーディングメーカーであり、 Samsung は33%を保有しています。 SK hynix はわずかな減少を経験しており、以前は世界的なHBMメモリ支出の64%を占めていましたが、 Samsung が勢いを増すにつれて50%に下がっています。

De acordo com um engenheiro de desenvolvimento de processos no Instituto de Pesquisa de Tecnologias Futuras da SK hynix, que falou com Damnang, SK hynix estaria enfrentando desafios no desenvolvimento da tecnologia de acoplamento híbrido para sua memória HBM. Esses problemas são significativos o suficiente para que SK hynix ainda não tenha começado a produção de amostras, enquanto Samsung teria enviado amostras de HBM fabricado usando acoplamento híbrido para clientes.

Se for verdade, isso representa um grande revés para SK hynix, cujo HBM ocupou o primeiro lugar em participação de mercado global por receita. Isso poderia potencialmente levar à perda de participação de mercado entre clientes que exigem capacidades maiores, melhor desempenho e tecnologia mais avançada de seus fornecedores de HBM.

Para quem não está familiarizado, o acoplamento híbrido cria um vínculo permanente entre dois chips de silício usando entalhes metálicos incorporados que são fundidos para formar um único chip. Vários dies ou wafers de silício inteiros podem ser conectados empilhando os traseiros de dois chips juntos. Esta tecnologia elimina os tradicionais bumpers de chips e conecta diretamente as interconexões de cobre entre os dois chips.

Essencialmente, o acoplamento híbrido pode criar distâncias mais curtas, reduzindo a latência e melhorando o desempenho, reduzindo a distorção do sinal e oferecendo muitos outros benefícios. Seja qual for o impacto na participação de mercado de SK hynix, depende das necessidades dos clientes e de suas opiniões respectivas. Por exemplo, entre as remessas de HBM, que agora são dominadas por HBM3E e HBM4, SK hynix é o fabricante líder com uma participação de 50%, enquanto Samsung detém 33%. SK hynix experimentou uma leve queda, pois a empresa anteriormente capturou 64% dos gastos globais com memória HBM, mas agora está em 50% enquanto Samsung ganha impulso.

Согласно инженеру по разработке процессов в Институте будущих технологий SK hynix, который говорил с Damnang, SK hynix reportedly сталкивается с проблемами в разработке технологии гибридного связывания для памяти HBM. Эти проблемы достаточно серьезны, чтобы SK hynix еще не начал производство образцов, в то время как Samsung reportedly уже отправил образцы HBM, произведенные с использованием гибридного связывания, клиентам.

Если это правда, это представляет серьезный откат для SK hynix, чья память HBM занимает лидирующие позиции в глобальной рыночной долей доходов. Это может потенциально привести к потере доли рынка среди клиентов, которым требуются большие емкости, лучшая производительность и более продвинутые технологии от своих поставщиков HBM.

Для тех, кто не знаком, гибридное связывание создает постоянную связь между двумя кремниевыми чипами с помощью вмонтированных металлических бумпов, которые соединяются для формирования одного чипа. Несколько dies или целых кремниевых пластин могут соединяться путем stacking задних концов двух чипов вместе. Эта технология исключает традиционные бумпы чипов и напрямую соединяет межсетевые соединения меди между двумя чипами.

В сущности, гибридное связывание может создавать более короткие расстояния, снижая задержку и улучшая производительность, снижая искажения сигнала и предлагая множество других преимуществ. Зависит ли это от влияния на долю рынка SK hynix, потребности клиентов и их соответственно мнений. Например, среди поставок HBM, которые сейчас доминируют HBM3E и HBM4, SK hynix является leading manufacturer с долей рынка 50%, в то время как Samsung владеет 33%. SK hynix испытал незначительное снижение, поскольку компания ранее захватывала 64% от глобальных расходов на память HBM, но теперь снизилась до 50% по мере того, как Samsung набирает обороты.

据 SK hynix 未来技术研究所的一名工艺开发工程师向 Damnang 采访，据报道 SK hynix 在开发用于其 HBM 存储器的混合键合技术时面临挑战。这些问题足以严重，据称 SK hynix 尚未开始生产样品，而 Samsung 已 reportedly 向客户发送了使用混合键合制造的 HBM 样品。

如果属实，这将对 SK hynix 造成重大挫折，其 HBM 在全球市场收入份额中占据首位。这可能会导致那些需要更高容量、更好性能和更先进技术的客户从 SK hynix 失去市场份额。

对于不了解的人来说，混合键合使用嵌入金属凸块在两颗芯片之间形成永久结合，将它们融合成单一芯片。通过将两颗芯片的背面堆叠在一起，可以连接多个芯片或整个硅片。这种技术消除了传统的芯片凸块，并在两颗芯片之间直接铜互连。

本质上，混合键合可以创造更短的距离，降低延迟并提高性能，降低信号失真，并提供许多其他好处。无论这对 SK hynix 的市场份额有何影响，取决于客户需求以及他们各自的看法。例如，在 HBM 发货中，目前由 HBM3E 和 HBM4 主导，SK hynix 是领先制造商，市场份额为 50%，而 Samsung 占有 33%。SK hynix 经历了轻微下降，因为该公司此前占据了全球 HBM 内存支出的 64%，但现在已降至 50%，因为 Samsung 获得了势头。