GlobalFoundries Returns to Advanced-Node Race With 7 nm-Class FDX Fusion

GlobalFoundries is re-entering the advanced-node race with its new FDX Fusion technology, a 7 nm-class semiconductor solution based on fully-depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) architecture. After halting 7 nm development in 2018 due to rising costs and manufacturing complexity, the company now offers a unique approach with a fully insulating layer beneath the channel, enabling ultra-low-power in-memory computing and seamless integration of embedded non-volatile memory like eMRAM. FDX Fusion delivers 7 nm-class characteristics and twice the transistor density of the first-generation 22FDX node. Mass production is planned for 2028 at the company's advanced facility in Dresden, Germany, supporting European chip sovereignty.

Initial technology demos will be available next year, with PDK shipping in mid-2027. The technology targets specialized applications in physical AI, automotive, and ASIC markets requiring heavy computation and sensing capabilities.

تعود GlobalFoundries إلى سباق العقد المتقدمة بتقنيتها الجديدة FDX Fusion، وهي حل لأشباه الموصلات بمستوى 7 نانومتر يعتمد على بنية السيليكون المعزول بالكامل مع استنزاف كامل (FD-SOI). وبعد أن أوقفت الشركة تطوير تقنية 7 نانومتر في عام 2018 بسبب ارتفاع التكاليف وتعقيد التصنيع، تقدم الآن نهجاً فريداً يتمثل في طبقة عازلة بالكامل أسفل القناة، ما يتيح الحوسبة داخل الذاكرة فائقة انخفاض الطاقة والتكامل السلس مع ذاكرة غير متطايرة مدمجة مثل eMRAM.

توفر FDX Fusion خصائص بمستوى 7 نانومتر وكثافة ترانزستورات تعادل ضعف كثافة عقدة 22FDX من الجيل الأول. ومن المخطط بدء الإنتاج الكامل عام 2028 في منشأة الشركة المتقدمة في دريسدن، ألمانيا، بما يدعم السيادة الأوروبية على الرقائق. وستتوفر العروض التقنية الأولى العام المقبل، وسيتم شحن حزمة تطوير العمليات (PDK) في منتصف عام 2027. وتستهدف التقنية تطبيقات متخصصة في الذكاء الاصطناعي المادي والسيارات وأسواق الدوائر المتكاملة الخاصة (ASIC) التي تتطلب قدرات حوسبة واستشعار كثيفة.

GlobalFoundries তাদের নতুন FDX Fusion প্রযুক্তি নিয়ে উন্নত নোডের প্রতিযোগিতায় আবার ফিরছে। এটি একটি 7 nm-শ্রেণির সেমিকন্ডাক্টর সমাধান, যা সম্পূর্ণ ক্ষয়প্রাপ্ত সিলিকন-অন-ইনসুলেটর (FD-SOI) স্থাপত্যের ওপর ভিত্তি করে তৈরি। খরচ বৃদ্ধি ও উৎপাদনের জটিলতার কারণে ২০১৮ সালে 7 nm উন্নয়ন বন্ধ করার পর, কোম্পানিটি এখন চ্যানেলের নিচে একটি সম্পূর্ণ অন্তরক স্তর সহ একটি অনন্য পদ্ধতি দিচ্ছে, যা অতি-নিম্ন-শক্তির ইন-মেমরি কম্পিউটিং এবং eMRAM-এর মতো এমবেডেড নন-ভোলাটাইল মেমরির নির্বিঘ্ন একীকরণ সম্ভব করে।

FDX Fusion 7 nm-শ্রেণির বৈশিষ্ট্য দেয় এবং প্রথম প্রজন্মের 22FDX নোডের তুলনায় দ্বিগুণ ট্রানজিস্টর ঘনত্ব প্রদান করে। ২০২৮ সালে কোম্পানির উন্নত কেন্দ্র ড্রেসডেন, জার্মানি-তে বড় আকারে উৎপাদন শুরুর পরিকল্পনা রয়েছে, যা ইউরোপের চিপ সার্বভৌমত্বকে সমর্থন করবে। আগামী বছর প্রাথমিক প্রযুক্তি ডেমো পাওয়া যাবে এবং ২০২৭ সালের মাঝামাঝি PDK সরবরাহ করা হবে। প্রযুক্তিটি ভারী গণনা ও সেন্সিং সক্ষমতার প্রয়োজন হয় এমন ফিজিক্যাল AI, অটোমোটিভ এবং ASIC বাজারের বিশেষায়িত প্রয়োগকে লক্ষ্য করে।

GlobalFoundries kehrt mit seiner neuen Technologie FDX Fusion in das Rennen um fortschrittliche Prozessknoten zurück. Es handelt sich um eine Halbleiterlösung der 7-nm-Klasse, die auf der Architektur des vollständig verarmten Silizium-auf-Isolator (FD-SOI) basiert. Nachdem das Unternehmen die 7-nm-Entwicklung 2018 wegen steigender Kosten und zunehmender Fertigungskomplexität gestoppt hatte, bietet es nun einen einzigartigen Ansatz mit einer vollständig isolierenden Schicht unter dem Kanal. Diese ermöglicht ultra-stromsparendes In-Memory-Computing und die nahtlose Integration eingebetteten nichtflüchtigen Speichers wie eMRAM.

FDX Fusion bietet Eigenschaften der 7-nm-Klasse und die doppelte Transistordichte des ersten 22FDX-Knotens. Die Serienfertigung ist für 2028 in der fortschrittlichen Anlage des Unternehmens in Dresden, Deutschland, geplant und unterstützt die europäische Chipsouveränität. Erste Technologiedemonstrationen werden im kommenden Jahr verfügbar sein, das PDK wird Mitte 2027 ausgeliefert. Die Technologie zielt auf spezialisierte Anwendungen in den Bereichen Physical AI, Automobil und ASIC-Märkte, die hohe Rechenleistung und Sensorik erfordern.

GlobalFoundries vuelve a la carrera de los nodos avanzados con su nueva tecnología FDX Fusion, una solución semiconductora de clase 7 nm basada en la arquitectura de silicio sobre aislante totalmente agotado (FD-SOI). Tras detener el desarrollo de 7 nm en 2018 debido al aumento de los costos y a la complejidad de fabricación, la compañía ofrece ahora un enfoque único, con una capa totalmente aislante bajo el canal, que permite la computación en memoria de ultra bajo consumo y la integración perfecta de memoria no volátil embebida como eMRAM.

FDX Fusion ofrece características de clase 7 nm y el doble de densidad de transistores que el nodo 22FDX de primera generación. La producción en masa está prevista para 2028 en la avanzada instalación de la compañía en Dresde, Alemania, en apoyo de la soberanía europea de chips. Las primeras demostraciones tecnológicas estarán disponibles el próximo año, y el PDK se entregará a mediados de 2027. La tecnología está orientada a aplicaciones especializadas en IA física, automoción y mercados de ASIC que requieren gran capacidad de cómputo y detección.

GlobalFoundries revient dans la course aux nœuds avancés avec sa nouvelle technologie FDX Fusion, une solution semi-conductrice de classe 7 nm fondée sur une architecture silicium sur isolant entièrement déserté (FD-SOI). Après avoir stoppé le développement du 7 nm en 2018 en raison de la hausse des coûts et de la complexité de fabrication, la société propose désormais une approche originale, avec une couche entièrement isolante sous le canal, permettant un calcul en mémoire à très faible consommation et une intégration transparente de mémoire non volatile embarquée comme l'eMRAM.

FDX Fusion offre des caractéristiques de classe 7 nm et une densité de transistors deux fois supérieure à celle du nœud 22FDX de première génération. La production de masse est prévue pour 2028 dans l'installation avancée de la société à Dresde, en Allemagne, au service de la souveraineté européenne en matière de puces. Les premières démonstrations technologiques seront disponibles l'année prochaine, et le PDK sera livré à la mi-2027. La technologie cible des applications spécialisées dans l'IA physique, l'automobile et les marchés des ASIC nécessitant de fortes capacités de calcul et de détection.

GlobalFoundries अपनी नई FDX Fusion तकनीक के साथ उन्नत नोड की दौड़ में वापस आ रही है। यह एक 7 nm-श्रेणी का सेमीकंडक्टर समाधान है, जो पूरी तरह से क्षीण सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर (FD-SOI) आर्किटेक्चर पर आधारित है। कंपनी ने बढ़ती लागत और निर्माण की जटिलता के कारण 2018 में 7 nm विकास रोक दिया था, और अब वह चैनल के नीचे पूरी तरह इन्सुलेटिंग परत के साथ एक अनूठा दृष्टिकोण पेश कर रही है। इससे अति-निम्न-शक्ति वाली इन-मेमोरी कंप्यूटिंग और एम्बेडेड नॉन-वोलेटाइल मेमोरी जैसे eMRAM का सहज एकीकरण संभव होता है।

FDX Fusion 7 nm-श्रेणी की विशेषताएँ प्रदान करता है और पहली पीढ़ी के 22FDX नोड की तुलना में दोगुनी ट्रांजिस्टर घनत्व देता है। बड़े पैमाने पर उत्पादन 2028 में कंपनी की उन्नत सुविधा ड्रेसडेन, जर्मनी में होने की योजना है, जो यूरोपीय चिप संप्रभुता का समर्थन करेगी। पहली तकनीकी डेमो अगले वर्ष उपलब्ध होंगे, और PDK 2027 के मध्य में भेजा जाएगा। यह तकनीक भारी गणना और सेंसिंग क्षमताओं की मांग वाले फिजिकल AI, ऑटोमोटिव और ASIC बाज़ारों के विशेष अनुप्रयोगों को लक्षित करती है।

GlobalFoundries kembali ke persaingan node canggih dengan teknologi barunya, FDX Fusion, sebuah solusi semikonduktor kelas 7 nm yang didasarkan pada arsitektur silicon-on-insulator terdeplesi penuh (FD-SOI). Setelah menghentikan pengembangan 7 nm pada 2018 karena meningkatnya biaya dan kompleksitas manufaktur, perusahaan kini menawarkan pendekatan unik dengan lapisan isolasi penuh di bawah kanal, yang memungkinkan komputasi in-memory berdaya sangat rendah serta integrasi mulus memori non-volatil tertanam seperti eMRAM.

FDX Fusion menghadirkan karakteristik kelas 7 nm dan kepadatan transistor dua kali lipat dibandingkan node 22FDX generasi pertama. Produksi massal direncanakan pada 2028 di fasilitas canggih perusahaan di Dresden, Jerman, untuk mendukung kedaulatan chip Eropa. Demonstrasi teknologi awal akan tersedia tahun depan, dengan PDK dikirim pada pertengahan 2027. Teknologi ini menargetkan aplikasi khusus di pasar physical AI, otomotif, dan ASIC yang membutuhkan kemampuan komputasi dan sensing yang besar.

GlobalFoundriesは、完全空乏型シリコン・オン・インシュレーター（FD-SOI）アーキテクチャに基づく7nmクラスの半導体ソリューション、新技術FDX Fusionで先端ノード競争に復帰します。コスト上昇と製造の複雑化を理由に2018年に7nmの開発を中止していましたが、今回はチャネル直下に完全な絶縁層を設けるという独自のアプローチを採用しています。これにより、超低消費電力のインメモリコンピューティングや、eMRAMのような組み込み不揮発性メモリとのシームレスな統合が可能になります。

FDX Fusionは7nmクラスの特性を備え、第1世代の22FDXノードの2倍のトランジスタ密度を実現します。量産は2028年に、同社の先進工場であるドイツ・ドレスデンで行われる計画で、欧州の半導体主権を支えるものです。最初の技術デモは来年提供される予定で、PDKは2027年半ばに出荷されます。この技術は、高度な演算能力とセンシング機能を必要とするフィジカルAI、自動車、ASIC市場の特定用途を対象としています。

A GlobalFoundries está retornando à corrida dos nós avançados com sua nova tecnologia FDX Fusion, uma solução de semicondutores de classe 7 nm baseada na arquitetura de silício sobre isolante totalmente depletado (FD-SOI). Depois de interromper o desenvolvimento de 7 nm em 2018 devido ao aumento de custos e à complexidade de fabricação, a empresa agora oferece uma abordagem única, com uma camada totalmente isolante sob o canal, possibilitando computação em memória de ultrabaixo consumo e a integração perfeita de memória não volátil embarcada, como a eMRAM.

O FDX Fusion oferece características de classe 7 nm e o dobro da densidade de transistores do nó 22FDX de primeira geração. A produção em massa está prevista para 2028 na instalação avançada da empresa em Dresden, Alemanha, apoiando a soberania europeia em chips. As primeiras demonstrações tecnológicas estarão disponíveis no próximo ano, e o PDK será entregue em meados de 2027. A tecnologia tem como alvo aplicações especializadas em IA física, automotivo e mercados de ASIC que exigem grande capacidade de computação e sensoriamento.

GlobalFoundries возвращается в гонку передовых техпроцессов с новой технологией FDX Fusion — полупроводниковым решением уровня 7 нм на основе архитектуры кремний-на-изоляторе с полным обеднением (FD-SOI). Приостановив разработку 7-нанометрового процесса в 2018 году из-за роста затрат и сложности производства, компания теперь предлагает уникальный подход: полностью изолирующий слой под каналом, который обеспечивает сверхнизкопотребляющие вычисления в памяти и бесшовную интеграцию встроенной энергонезависимой памяти, такой как eMRAM.

FDX Fusion обеспечивает характеристики уровня 7 нм и вдвое большую плотность транзисторов по сравнению с техпроцессом 22FDX первого поколения. Массовое производство запланировано на 2028 год на передовом предприятии компании в Дрездене, Германия, что поддерживает европейский суверенитет в производстве чипов. Первые технологические демонстрации будут доступны в следующем году, а PDK начнут поставляться в середине 2027 года. Технология ориентирована на специализированные применения в области физического ИИ, автомобилестроения и рынков ASIC, где требуются высокие вычислительные возможности и возможности сенсорики.

GlobalFoundries 正以全新的 FDX Fusion 技术重返先进制程竞争。该技术是一种基于全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）架构的 7nm 级半导体方案。公司于 2018 年因成本上升和制造复杂度增加而停止 7nm 研发，如今采用独特思路：在沟道下方设置完全绝缘层，从而实现超低功耗的内存计算，并可无缝集成嵌入式非易失性存储器（如 eMRAM）。

FDX Fusion 具备 7nm 级特性，晶体管密度是第一代 22FDX 制程的两倍。量产计划于 2028 年在公司位于 德国德累斯顿 的先进工厂进行，以支持欧洲的芯片自主可控。首批技术演示将于明年推出，PDK 预计于 2027 年年中交付。该技术面向物理 AI、汽车和 ASIC 市场中需要大量计算与传感能力的专业应用。