GlobalFoundries vuelve a la carrera de los nodos avanzados con su nueva tecnología FDX Fusion, una solución semiconductora de clase 7 nm basada en la arquitectura de silicio sobre aislante totalmente agotado (FD-SOI). Tras detener el desarrollo de 7 nm en 2018 debido al aumento de los costos y a la complejidad de fabricación, la compañía ofrece ahora un enfoque único, con una capa totalmente aislante bajo el canal, que permite la computación en memoria de ultra bajo consumo y la integración perfecta de memoria no volátil embebida como eMRAM.
FDX Fusion ofrece características de clase 7 nm y el doble de densidad de transistores que el nodo 22FDX de primera generación. La producción en masa está prevista para 2028 en la avanzada instalación de la compañía en Dresde, Alemania, en apoyo de la soberanía europea de chips. Las primeras demostraciones tecnológicas estarán disponibles el próximo año, y el PDK se entregará a mediados de 2027. La tecnología está orientada a aplicaciones especializadas en IA física, automoción y mercados de ASIC que requieren gran capacidad de cómputo y detección.
Fuente: TechPowerUp News · Resumido por HeadlinesBriefing