GlobalFoundries अपनी नई FDX Fusion तकनीक के साथ उन्नत नोड की दौड़ में वापस आ रही है। यह एक 7 nm-श्रेणी का सेमीकंडक्टर समाधान है, जो पूरी तरह से क्षीण सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर (FD-SOI) आर्किटेक्चर पर आधारित है। कंपनी ने बढ़ती लागत और निर्माण की जटिलता के कारण 2018 में 7 nm विकास रोक दिया था, और अब वह चैनल के नीचे पूरी तरह इन्सुलेटिंग परत के साथ एक अनूठा दृष्टिकोण पेश कर रही है। इससे अति-निम्न-शक्ति वाली इन-मेमोरी कंप्यूटिंग और एम्बेडेड नॉन-वोलेटाइल मेमोरी जैसे eMRAM का सहज एकीकरण संभव होता है।
FDX Fusion 7 nm-श्रेणी की विशेषताएँ प्रदान करता है और पहली पीढ़ी के 22FDX नोड की तुलना में दोगुनी ट्रांजिस्टर घनत्व देता है। बड़े पैमाने पर उत्पादन 2028 में कंपनी की उन्नत सुविधा ड्रेसडेन, जर्मनी में होने की योजना है, जो यूरोपीय चिप संप्रभुता का समर्थन करेगी। पहली तकनीकी डेमो अगले वर्ष उपलब्ध होंगे, और PDK 2027 के मध्य में भेजा जाएगा। यह तकनीक भारी गणना और सेंसिंग क्षमताओं की मांग वाले फिजिकल AI, ऑटोमोटिव और ASIC बाज़ारों के विशेष अनुप्रयोगों को लक्षित करती है।
स्रोत: TechPowerUp News · HeadlinesBriefing द्वारा सारांशित