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टीएसएमसी A14 नोड पायलट उत्पादन शुरू, 2027 में जोखिम उत्पादन

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टीएसएमसी का A14 नोड, जो 1.4 nm चिप्स का उत्पादन करता है, reportedly न्यू竹科学園區寶山20廠 और मध्य ताइवान विज्ञान園區25廠 में पायलट उत्पादन शुरू कर दिया गया है, जहाँ टीएसएमसी के सबसे नए और सबसे उन्नत नोड्स विकसित किए जाते हैं। UDN के अनुसार, टीएसएमसी अर्धचालक नोड की व्यवहार्यता का मूल्यांकन कर रहा है, जिससे ग्राहकों को यह देखने में मदद मिलती है कि उनके संभावित डिज़ाइन इसके उत्पादन वातावरण में कैसे काम करेंगे। A14 नोड की प्रगति अपेक्षा से बेहतर हो रही है, शुरुआती सफलता के कारण समयसीमा आगे बढ़ रही है।

यदि पायलट उत्पादन बिना किसी major yield या उत्पादन समस्या के सुचारू रूप से चलता है, तो जोखिम उत्पादन 2027 में शुरू होने की योजना है, gefol्गा द्वारा 2028 में उच्च-आयतन निर्माण। यदि अगले वर्ष कोई महत्वपूर्ण समस्या नहीं होती है, तो टीएसएमसी समयसीमा को कुछ महीनों तक आगे बढ़ा सकता है। हाल ही में घोषित N2 2 nm नोड के आयतन उत्पादन की तुलना में, A14 नोड समान शक्ति स्तर पर अधिकतम 15% तेज गति प्रदान करता है या समान आवृत्ति पर अधिकतम 30% शक्ति में कमी लाता है। टीएसएमसी यह भी दावा करता है कि तर्क घनत्व में 20% की वृद्धि हुई है, और तर्क घटकों का स्केलिंग पिछले सब-10 nm युग की तुलना में अधिक प्रभावी रहा है।

इसे सबसे पहले टीएसएमसी के मुख्य मुख्यालय, ताइवान में लागू किया जाएगा, जहाँ कंपनी 2028 में नोड का बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना बना रही है। इससे टीएसएमसी को सैमसंग और इंटेल के मुकाबले थोड़ा समय लाभ मिलता है, जिससे यह इंटेल के 14A के सीधे प्रतियोगी बन जाता है एंगस्ट्रॉम युग में। कुछ महीने पहले, हमने बताया कि टीएसएमसी कथित रूप से फाब के विकास में कृत्रिम बुद्धिमत्ता और आभासी वास्तविकता का उपयोग कर रहा है। AI छवि पहचान और स्मार्ट निरीक्षण के लिए उपयोग किया जा रहा है, जबकि VR सिमुलेशन उच्च-ऊंचाई वाले काम के प्रशिक्षण और संभावित खतरनाक स्थितियों में मदद करते हैं। इस तेज प्रशिक्षण, निर्माण सहायता और अन्य नवाचारों के संयोजन से टीएसएमसी को आंतरिक समयसारिणी से पहले फाब डिलीवर करने में सक्षम बनाता है, जिससे A14 नोड शून्य से 2027 के अंत तक प्रारंभिक जोखिम उत्पादन तक पहुंचने में सक्षम होता है। इसके अलावा, टीएसएमसी A14 नोड के लिए Low-NA EUV लिथोग्राफी का उपयोग जारी रखेगा, क्योंकि वह केवल लगभग 1 nm नोड के आसपास High-NA में संक्रमण की योजना बना रहा है।

मुख्य इकाइयाँ: कंपनियाँ: टीएसएमसी, UDN, सैमसंग, इंटेल | स्थान: न्यू竹科学園區,寶山20廠, मध्य ताइवान विज्ञान園區,25廠, ताइवान