أعلن الرئيس التنفيذي لشركة SK hynix، كواك نو-جونغ، أن نقص الذاكرة الحالي سيستمر حتى نهاية عام 2030، مستشهداً بالتحول بعيداً عن أجزاء DRAM السلعية البحتة. وتحدث كواك في حفل وضع حجر الأساس لمصنع التعبئة الجديد للشركة في إنديانا، موضحاً أن التخفيف التدريجي، وليس انهيار الأسعار الحاد، هو الذي سينهي النقص على الأرجح. يهدف المصنع، الذي يستهدف الإنتاج الكمي بحلول الربع الثاني من عام 2029، إلى التركيز على تعبئة HBM4E بدلاً من إضافة سعة رقاقات جديدة. ستستمر الرقاقات في الإنتاج في كوريا الجنوبية وشحنها إلى الولايات المتحدة. هذا التحول نحو الطلب المخصص المدفوع بالذكاء الاصطناعي لتكوينات HBM وDRAM يجعل التنبؤ بالإمدادات المستقبلية أسهل، مما يشير إلى أن التقلبات الحادة في الإفراط في العرض التي تسببت سابقاً في انهيارات السوق أصبحت أقل احتمالاً. بالنسبة للمستهلكين، من المتوقع أن تظل أسعار DRAM وNAND مرتفعة حتى العقد المقبل، مما يبقي تكاليف ذاكرة الكمبيوتر الشخصي ووحدات معالجة الرسومات ووحدات التحكم عالية.