英特尔已使用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术处理了100万片300毫米硅晶圆，标志着先进芯片制造的一个重大里程碑。该公司最初于2024年部署ASML的TWINSCAN EXE:5000系统用于14A节点的研究，但此后已将高NA的使用扩展至18A节点和部分"Panther Lake" SKU。英特尔还通过英特尔代工服务向外部客户提供其高NA设置。在与ASML的合作中，该公司使用TWINSCAN EXE:5200 B扫描仪完成了14A节点的验收测试，提高了晶圆产出。此前，英特尔在单个季度内处理了超过30,000片晶圆，将某层的工艺步骤从40步减少到10步以下，显著缩短了周期时间。英特尔仍然是唯一在生产中积极使用高NA EUV光刻技术的公司。台积电认为其可以凭借现有的低NA EUV技术保持竞争力，而三星代工据报道将高NA采用推迟到2030年用于其1纳米节点。来自ASML的高NA系统成本约为4亿美元，即使对于现代晶圆厂来说也极其昂贵。