Intel ha procesado un millón de obleas de silicio de 300 mm utilizando litografía de ultravioleta extremo (EUV) de alta apertura numérica (High NA), marcando un hito importante en la fabricación avanzada de chips. La compañía desplegó inicialmente los sistemas TWINSCAN EXE:5000 de ASML en 2024 para investigación en el nodo 14A, pero desde entonces ha ampliado el uso de High-NA al nodo 18A y a SKU selectos de "Panther Lake". Intel también ofrece su configuración High-NA a clientes externos a través de Intel Foundry.

En colaboración con ASML, la compañía completó las pruebas de aceptación para su nodo 14A usando el escáner TWINSCAN EXE:5200 B, mejorando la producción de obleas. Anteriormente, Intel procesó más de 30.000 obleas en un solo trimestre, reduciendo los pasos de proceso para una capa de 40 a menos de 10, acortando significativamente los tiempos de ciclo. Intel sigue siendo la única empresa que utiliza activamente litografía High-NA EUV en producción.

TSMC cree que puede mantener la competitividad con la tecnología EUV Low-NA existente, mientras que Samsung Foundry está retrasando supuestamente la adopción de High-NA hasta 2030 para su nodo de 1 nm. Los sistemas High-NA de ASML cuestan alrededor de 400 millones de dólares, lo que los hace extremadamente caros incluso para fabs modernas.