قامت إنفيديا (Intel) بمعالجة مليون رقاقة سيليكون بقياس 300 مم باستخدام تقنية الليثوغرافيا بالأشعة فوق البنفسجية المتطرفة (EUV) ذات الفتحة العددية العالية (High NA)، مما يمثل إنجازاً رئيسياً في تصنيع الرقائق المتقدمة. نشرت الشركة في البداية أنظمة TWINSCAN EXE:5000 من ASML في عام 2024 لأبحاث عقدة 14A، لكنها وسعت منذ ذلك الحين استخدام High-NA ليشمل عقدة 18A وبعض SKUs الخاصة بـ "Panther Lake". كما تقدم إنفيديا إعداد High-NA الخاص بها للعملاء الخارجيين من خلال إنفيديا فاوندري (Intel Foundry). بالتعاون مع ASML، أكملت الشركة اختبارات القبول لعقدة 14A باستخدام الماسح الضوئي TWINSCAN EXE:5200 B، مما أدى إلى تحسين إنتاج الرقاقات. سابقاً، قامت إنفيديا بمعالجة أكثر من 30,000 رقاقة في ربع سنة واحد، مما قلل خطوات المعالجة لطبقة من 40 إلى أقل من 10، مما قلل بشكل كبير أوقات الدورة. تظل إنفيديا الشركة الوحيدة التي تستخدم بنشاط تقنية الليثوغرافيا High-NA EUV في الإنتاج. تعتقد TSMC أنها تستطيع الحفاظ على القدرة التنافسية باستخدام تقنية EUV منخفضة الفتحة العددية (Low-NA) الحالية، بينما يُذكر أن سامسونج فاوندري (Samsung Foundry) تؤخر تبني High-NA حتى عام 2030 لعقدتها 1 نانومتر. تكلف أنظمة High-NA من ASML حوالي 400 مليون دولار، مما يجعلها باهظة الثمن للغاية حتى بالنسبة للمصانع الحديثة.