À Hot Chips 2026, [PERSON_NAME] de Samsung a confirmé que la mémoire [PERSON_NAME] atteint 16 Gbps par broche, contre 14 Gbps expédiés depuis fin mai. Cette avancée porte la bande passante d'une seule pile à 4 TB/s, contre 3,6 TB/s à 14 Gbps. Avec 2 048 broches par pile et environ une douzaine de piles par accélérateur IA ou GPU, la bande passante mémoire totale devient substantielle.

Samsung propose actuellement des piles à 12 couches avec une densité de 48 Go, mais prévoit des options à 8 couches 32 Go et 16 couches 64 Go. La technologie utilise un processus DRAM de 6e génération de classe 10 nm et une puce de base SF4 4 nm personnalisée pour une meilleure intégration entre les boîtiers.