En Hot Chips 2026, [PERSON_NAME] de Samsung confirmó que la memoria [PERSON_NAME] está alcanzando 16 Gbps por pin, frente a los 14 Gbps enviados desde finales de mayo. Este avance impulsa el ancho de banda de una sola pila a 4 TB/s, comparado con 3,6 TB/s a 14 Gbps. Con 2.048 pines por pila y aproximadamente una docena de pilas por acelerador de IA o GPU, el ancho de banda total de memoria se vuelve sustancial.

Samsung ofrece actualmente pilas de 12 capas con densidad de 48 GB, pero los planes incluyen opciones de 8 capas y 32 GB y de 16 capas y 64 GB. La tecnología utiliza un proceso DRAM de 6ª generación de clase 10 nm y un die base personalizado SF4 de 4 nm para una mejor integración entre paquetes.