HeadlinesBriefing favicon HeadlinesBriefing.com

ذاكرة HBM4E من سامسونج بسرعة 16 جيجابت/ثانية لكل سن

TechPowerUp News •
×

في هوت تشيبس 2026، أكد [PERSON_NAME] من سامسونج أن ذاكرة [PERSON_NAME] تصل إلى 16 جيجابت في الثانية لكل سن، ارتفاعاً من 14 جيجابت في الثانية التي تم شحنها منذ أواخر مايو. يعزز هذا التقدم عرض نطاق المكدس الفردي إلى 4 تيرابايت/ثانية، مقارنة بـ 3.6 تيرابايت/ثانية عند 14 جيجابت في الثانية. مع 2,048 سناً لكل مكدس وما يقرب من اثني عشر مكدساً لكل معجل ذكاء اصطناعي أو وحدة معالجة رسومات، يصبح إجمالي عرض نطاق الذاكرة كبيراً. تقدم سامسونج حالياً مكدسات ذات 12 طبقة بكثافة 48 جيجابايت، لكن الخطط تتضمن خيارات 8 طبقات 32 جيجابايت و 16 طبقة 64 جيجابايت. تستخدم التقنية عملية DRAM من الجيل السادس فئة 10 نانومتر وقاعدة مخصصة 4 نانومتر SF4 لتحسين التكامل عبر الحزم.