No Hot Chips 2026, [PERSON_NAME] da Samsung confirmaram que a memória [PERSON_NAME] está atingindo 16 Gbps por pino, acima dos 14 Gbps enviados desde o final de maio. Este avanço impulsiona a largura de banda de pilha única para 4 TB/s, comparado a 3,6 TB/s a 14 Gbps. Com 2.048 pinos por pilha e cerca de uma dúzia de pilhas por acelerador de IA ou GPU, a largura de banda total de memória se torna substancial.

A Samsung oferece atualmente pilhas de 12 camadas com densidade de 48 GB, mas os planos incluem opções de 8 camadas 32 GB e 16 camadas 64 GB. A tecnologia usa um processo DRAM de 6ª geração de classe 10 nm e um die base SF4 4 nm personalizado para melhor integração entre pacotes.