Samsung和Qualcomm正在组建一个2.1D封装联盟，提供使用有机桥连接硅芯片的先进芯片封装技术。与英特尔的嵌入式多芯片互连桥（EMIB）不同，后者使用小型硅桥，这个联盟将采用由传统印刷电路板（PCB）中常见的材料制成的有机桥，如环氧树脂和铜线等有机聚合材料。该技术使用具有多层精细电路的重分布层（RDL），使其更类似于印刷电路板制造而非硅制造，同时实现与EMIB相当的封装密度。

Samsung将使用多个RDL在翻盖式球栅阵列封装中制造2.1D封装。目标规格包括有机桥线宽和间距为1.5至2微米，过孔尺寸为4至5微米，芯间图案密度为每毫米500至1,000个。除了高通外，还有其他几家三星晟莶客户表示感兴趣。

对于高通来说，三星将使用这种封装技术创建多芯片AI加速器，通过有机桥将多个计算芯片拼接在单个表面上，作为统一的加速器。高通自至少2024年就开始开发互连桥技术的专利，而三星晟莶负责制造，因为高通是一家无厂房的芯片设计公司。

关键实体：公司：三星、高通、英特尔、三星晟莶

常见问题：2.1D封装如何与英特尔的EMIB技术不同？

虽然英特尔的EMIB使用硅桥，三星-高通2.1D联盟采用由类似印刷电路板材料（如环氧树脂和铜线）制成的有机桥，并配备重分布层，通过印刷电路板式制造工艺实现类似的密度。

常见问题：2.1D封装如何与英特尔的EMIB技术不同？

答：虽然英特尔的EMIB使用硅桥，三星-高通2.1D联盟采用由类似印刷电路板材料（如环氧树脂和铜线）制成的有机桥，并配备重分布层，通过印刷电路板式制造工艺实现类似的密度。