Samsung এবং Qualcomm একটি 2.1D প্যাকেজিং অ্যালায়েন্স গঠন করছে, যা সিলিকন ডাইজ একত্রে জড়িয়ে জৈবিক পুল ব্যবহার করে উন্নত চিপ প্যাকেজিং অফার করে। Intel-এর Embedded Multi-die Interconnect Bridge (EMIB)-এর বিপরীতে, যা ছোট সিলিকন পুল ব্যবহার করে, এই অ্যালায়েন্স পারম্পরিক PCB-এ সাধারণত পাওয়া যাওয়া উপকরণ থেকে তৈরি জৈবিক পুল ব্যবহার করবে, যেমন এপক্সি এবং তাম্পার তারগুলির মতো জৈবিক পলিমার উপকরণ। এই প্রযুক্তিটি বহু স্তরের অগ্নরেখা সহ পুনর্বিতরণ স্তর (RDL) ব্যবহার করে, যা এটিকে সিলিকন নির্মাণের চেয়ে PCB নির্মাণের বেশি অনুরূপ করে তুলে, যখন EMIB-এর মতো প্যাকেজিং ঘনত্ব অর্জন করে।

Samsung একাধিক RDL ব্যবহার করে ফ্লিপ-চিপ বল গ্রিড অ্যারে প্যাকেজের ভেতরে 2.1D প্যাকেজ তৈরি করবে। লক্ষ্য বিশেষত্বগুলিতে জৈবিক পুল রেখার প্রস্থ ও স্পেসিং 1.5 থেকে 2 মাইক্রোমিটার, ভিয়ার আকার 4 থেকে 5 মাইক্রোমিটার, এবং die-to-die প্যাটার্ন ঘনত্ব প্রতি মিলিমিটার 500 থেকে 1,000 অন্তর্ভুক্ত করে। Qualcomm-এর পাশাপাশে অন্য কয়েকজন Samsung Foundry গ্রাহকরাও আগ্রহ পোকেছেন।

Qualcomm-এর জন্য, Samsung এই প্যাকেজিংটি ব্যবহার করে একক পৃষ্ঠায় জৈবিক পুলের মাধ্যমে একত্রিত করা একাধিক কম্পিউট ডাইজ নিয়ে মাল্টি-ডাই এআই ত্বরক সৃষ্টি করতে পারে, যা একক ত্বরক হিসাবে কাজ করে। Qualcomm এই প্রযুক্তিটি কমপক্ষে 2024 সালের পেটেন্ট থেকে উন্নয়ন শুরু করেছে, যখন Samsung Foundry নির্মাণ নিয়ে শেয়ার করে যেহেতু Qualcomm একজন ফ্যাবলেস চিপ ডিজাইনার।

গুরুত্বপূর্ণ উপাদান: কোম্পানিগুলি: Samsung, Qualcomm, Intel, Samsung Foundry

প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন: 2.1D প্যাকেজিং EMIB প্রযুক্তিথেকে কীভাবে আলাদা?

যখন Intel-এর EMIB সিলিকন পুল ব্যবহার করে, Samsung-Qualcomm 2.1D অ্যালায়েন্স PCB-এর মতো উপকরণ যেমন এপক্সি এবং তাম্পার তারগুলির মধ্যে জৈবিক পুল ব্যবহার করে, যা পুনর্বিতরণ স্তরগুলির সাথে, এবং PCB-এর মতো নির্মাণ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে অ comparable ঘনত্ব অর্জন করে।

প্রায়শঃ জিজ্ঞাসিত প্রশ্ন: 2.1D প্যাকেজিং EMIB প্রযুক্তিথেকে কীভাবে আলাদা?

প্রায়শঃ জিজ্ঞাসিত প্রশ্নের উত্তর: যখন Intel-এর EMIB সিলিকন পুল ব্যবহার করে, Samsung-Qualcomm 2.1D অ্যালায়েন্স PCB-এর মতো উপকরণ যেমন এপক্সি এবং তাম্পার তারগুলির মধ্যে জৈবিক পুল ব্যবহার করে, যা পুনর্বিতরণ স্তরগুলির সাথে, এবং PCB-এর মতো নির্মাণ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে অ comparable ঘনত্ব অর্জন করে।