Samsung و Qualcomm يشكلان تحالف تعبئة 2.1D لتقديم تعبئة متقدمة للرقاقات باستخدام جسور عضوية تربط بين رقاقات السيليكون. على عكس جسر الاتصال متعدد الرقاقات المدمج (EMIB) الخاص بـ Intel، الذي يستخدم جسور سيليكون صغيرة، فإن هذا التحالف سيعتمد على جسور عضوية مصنوعة من مواد شائعة في اللوحات الإلكترونية التقليدية، مثل مواد بوليمرية ع.organic مثل الإيبوكسي والأسلاك النحاسية. تستخدم التكنولوجيا طبقات إعادة التوزيع (RDL) بطبقات متعددة من الدوائر الدقيقة، مما يجعلها أكثر تشابهًا مع عملية تصنيع اللوحات الإلكترونية من عملية تصنيع السيليكون، بينما تحقق كثافة تعبئة مشابهة لـ EMIB.

سيقوم Samsung بتصنيع حزمة 2.1D باستخدام طبقات RDL متعددة داخل حزمة شبكة كرات فلب-تشيب. تشمل المواصفات المستهدفة عرض وتباعد الجسر العضوي بين 1.5 إلى 2 ميكرومتر، وأحجام الممرات بين 4 إلى 5 ميكرومتر، وكثافة نمط die-to-die بين 500 إلى 1,000 لكل مليمتر. عبّر عدة عملاء آخرون لـ Samsung Foundry غير Qualcomm عن اهتمامهم.

بالنسبة لـ Qualcomm، سيستخدم Samsung هذه التعبئة لإنشاء مسرّعات ذكاء اصطناعية متعددة الرقاقات بعدة رقاقات حساب متصلة على سطح واحد عبر الجسر العضوي، تعمل كمسرّع موحد. لدى Qualcomm تطوير هذه التكنولوجيا منذ عام 2024 على الأقل في ما يتعلق من براءات الاختراع للجسور الاتصالية، بينما يتولى Samsung Foundry التصنيع بينما يُعد Qualcomm مصمم رقاقات بدون مصنع.

كيانات رئيسية: الشركات: Samsung, Qualcomm, Intel, Samsung Foundry

الأسئلة المتكررة: كيف تختلف تعبئة 2.1D عن تكنولوجيا EMIB الخاصة بـ Intel؟

بينما يستخدم EMIB الخاص بـ Intel جسور سيليكون، يعتمد تحالف Samsung-Qualcomm 2.1D على جسور عضوية مصنوعة من مواد تشبه اللوحات الإلكترونية مثل الإيبوكسي والأسلاك النحاسية مع طبقات إعادة التوزيع، محققًا كثافة مشابهة من خلال عمليات تصنيع على طراز اللوحات الإلكترونية.

الأسئلة المتكررة: كيف تختلف تعبئة 2.1D عن تكنولوجيا EMIB الخاصة بـ Intel؟

الإجابة: بينما يستخدم EMIB الخاص بـ Intel جسور سيليكون، يعتمد تحالف Samsung-Qualcomm 2.1D على جسور عضوية مصنوعة من مواد تشبه اللوحات الإلكترونية مثل الإيبوكسي والأسلاك النحاسية مع طبقات إعادة التوزيع، محققًا كثافة مشابهة من خلال عمليات تصنيع على طراز اللوحات الإلكترونية.