ASML a annoncé que Samsung et TSMC adopteront ses machines de lithographie EUV haute NA, rejoignant Intel dans la technologie de fabrication de puces. Samsung prévoit de déployer la technologie NA EUV d'ici 2028 pour les produits mémoire DRAM, tandis que TSMC l'intégrera dans les nœuds avancés à partir de 2030. Actuellement, seul Intel a déployé High NA EUV sur son processus 18A pour certains processeurs de la série Core Ultra 3.

ASML a également révélé une nouvelle initiative avec TSMC et Samsung pour passer des masques photographiques actuels de six pouces à des masques de 12 pouces plus grands. Ces masques plus grands visent à augmenter la productivité des usines, à réduire les coûts de fabrication de puces et à éliminer les contraintes d'empilage dans la production de nœuds avancés. ASML prévoit de tester des usines de masques de 12 pouces en 2031, avec une production prévue pour commencer en 2033.

Marco Pieters, directeur technique d'ASML, a déclaré que si l'industrie implémente avec succès la technologie, la productivité du système pourrait augmenter de 40 %. Cette collaboration marque une étape importante pour répondre aux pénuries mondiales de puces grâce aux capacités de fabrication avancées.