ASML anunció que Samsung y TSMC adoptarán sus máquinas de litografía EUV de alta NA, uniéndose a Intel en la tecnología de fabricación de chips. Samsung planea implementar la tecnología NA EUV para 2028 para productos de memoria DRAM, mientras que TSMC la integrará en nodos avanzados a partir de 2030. Actualmente, solo Intel ha desplegado High NA EUV en su proceso 18A para procesadores seleccionados de la serie Core Ultra 3.

ASML también reveló una nueva iniciativa con TSMC y Samsung para pasar de las máscaras fotográficas de seis pulgadas a máscaras de 12 pulgadas más grandes. Estas máscaras más grandes buscan aumentar la productividad de las fábricas, reducir los costos de fabricación de chips y eliminar las restricciones de unión en la producción de nodos avanzados. ASML planea probar fábricas de máscaras de 12 pulgadas en 2031, con producción esperada para comenzar en 2033.

Marco Pieters, director de tecnología de ASML, afirmó que si la industria implementa con éxito la tecnología, la productividad del sistema podría aumentar en un 40%. La colaboración marca un paso significativo para abordar las escasez globales de chips a través de capacidades de fabricación avanzadas.