ASML 宣布，三星和台积电将采用其高 NA 极紫外（EUV）光刻机，加入英特尔推进芯片制造技术。三星计划在 2028 年前部署 NA EUV 技术用于 DRAM 内存产品，台积电计划从 2030 年起将其集成到先进节点。目前，只有英特尔已在其 18A 工艺上部署了高 NA EUV，用于精选核心极系列 3 处理器。ASML 还透露了与台积电和三星的新举措，从当前的六英寸光罩过渡到更大的 12 英寸光罩。这些更大的光罩旨在提高晶圆厂生产力，降低芯片制造成本，并消除先进节点生产中的拼接限制。ASML 计划在 2031 年测试 12 英寸光罩工厂，预计 2033 年开始生产。ASML 首席技术官 Marco Pieters 表示，如果行业成功实施该技术，系统生产率可能提高 40%。此次合作标志着通过先进制造能力解决全球芯片短缺的重要一步。