ASML hat bekanntgegeben, dass Samsung und TSMC seine High NA EUV Lithographiemaschinen übernehmen, um Intel bei der Weiterentwicklung der Chip-Herstellungstechnologie zu unterstützen. Samsung plant, die NA EUV-Technologie bis 2028 für DRAM-Speicherprodukte einzusetzen, während TSMC sie ab 2030 in fortschrittliche Knoten integrieren wird. Aktuell hat nur Intel High NA EUV in seinem 18A-Prozess für ausgewählte Core Ultra Series 3 Prozessoren eingesetzt.

ASML hat zudem eine neue Initiative mit TSMC und Samsung bekanntgegeben, von den aktuellen sechs-Zoll-Fotomasken zu größeren 12-Zoll-Fotomasken überzugehen. Diese größeren Fotomasken zielen darauf ab, die Fab-Produktivität zu steigern, Chip-Herstellungskosten zu senken und Stitching-Beschränkungen in der Produktion avancen Knoten aufzuheben. ASML plant, 2031 Fab mit 12-Zoll-Fotomasken zu testen, mit Produktionsstart im Jahr 2033.

Marco Pieters, Chief Technology Officer von ASML, stated that wenn die Industrie die Technologie erfolgreich implementiert, könnte die Systemproduktivität um 40 Prozent steigen. Die Zusammenarbeit markiert einen bedeutenden Schritt zur Bewältigung globaler Chip-Lieferengpässe durch avancierte Fertigungskapazitäten.