Según The Information, el gigante chino de memoria CXMT ha comenzado supuestamente la producción de riesgo de memoria HBM3E. Esto marca un hito significativo, ya que los fabricantes chinos están actualmente dos generaciones detrás de las empresas surcoreanas que están transitando hacia HBM4E. Aunque la fabricación de HBM3E ha comenzado en cantidades muy bajas, señala el inicio de la producción de riesgo.

La especificación estándar JEDEC requiere un ancho de 1,024 bits con velocidades que van desde 9.2 Gbps hasta 12.4 Gbps por pin, apuntando a aproximadamente 1.2 TB/s de ancho de banda total. Las capacidades van desde 24 GB usando apilamientos de 8 alturas hasta 36 GB usando apilamientos de 12 alturas. CXMT está en camino de lograr 350,000 obleas DRAM por mes para fin de año, con planes de escalar aún más.

La empresa opera dos fabs de 12 pulgadas en Hefei y Beijing, cada una produciendo aproximadamente 100,000 obleas mensuales, resultando en una producción combinada actual de aproximadamente 200,000 obleas por mes. CXMT apunta a triplicar esta capacidad a 600,000 obleas por mes tras la finalización de sus plantas en Shanghai y Hefei. La rápida progresión de producción de riesgo a producción en masa sugiere que la fabricación de alto volumen podría llegar en semanas.