据 The Information 报道，中国存储巨头 CXMT 据报已开始 HBM3E 内存的风险量产。这标志着一个重要里程碑，因为中国制造商目前落后于正在向 HBM4E 过渡的韩国公司两代。虽然 HBM3E 制造已以极低数量启动，但这标志着风险量产的开始。标准 JEDEC 规范要求 1,024 位宽度，每引脚速度范围为 9.2 Gbps 至 12.4 Gbps，目标总带宽约为 1.2 TB/s。容量范围从使用 8 层堆叠的 24 GB 到使用 12 层堆叠的 36 GB。CXMT 有望在年底前实现每月 35 万片 DRAM 晶圆产能，并计划进一步扩产。该公司在合肥和北京运营两座 12 英寸晶圆厂，每座月产约 10 万片晶圆，目前合计产能约为每月 20 万片。随着上海和合肥厂区的建成，CXMT 目标是将产能提升至每月 60 万片。从风险量产到大规模量产的快速推进表明，大批量制造可能在几周内到来。