Laut The Information hat der chinesische Speichergigant CXMT Berichten zufolge die Risikoproduktion von HBM3E-Speicher begonnen. Dies markiert einen bedeutenden Meilenstein, da chinesische Hersteller derzeit zwei Generationen hinter südkoreanischen Unternehmen zurückliegen, die auf HBM4E umsteigen. Obwohl die HBM3E-Fertigung in sehr geringen Mengen begonnen hat, signalisiert sie den Beginn der Risikoproduktion.

Die Standard-JEDEC-Spezifikation erfordert eine 1.024-Bit-Breite mit Geschwindigkeiten von 9,2 Gbps bis 12,4 Gbps pro Pin, was einer Gesamtbandbreite von ca. 1,2 TB/s entspricht. Die Kapazitäten reichen von 24 GB mit 8-high Stacks bis 36 GB mit 12-high Stacks. CXMT ist auf Kurs, bis Jahresende 350.000 DRAM-Wafer pro Monat zu erreichen, mit Plänen zur weiteren Skalierung.

Das Unternehmen betreibt zwei 12-Zoll-Fabs in Hefei und Peking, die jeweils rund 100.000 Wafer monatlich produzieren, was einer aktuellen Gesamtleistung von ca. 200.000 Wafern pro Monat entspricht. CXMT strebt an, diese Kapazität bei Fertigstellung seiner Werke in Shanghai und Hefei auf 600.000 Wafer pro Monat zu verdreifachen. Der schnelle Übergang von der Risiko- zur Massenproduktion deutet darauf hin, dass die Hochvolumenfertigung innerhalb von Wochen eintreffen könnte.