وفقاً لـ The Information، بدأ عملاق الذاكرة الصيني CXMT据报 الإنتاج التجريبي لذاكرة HBM3E. ويمثل هذا علامة فارقة مهمة، حيث يتخلف المصنعون الصينيون حالياً جيلين عن الشركات الكورية الجنوبية التي تنتقل إلى HBM4E. وعلى الرغم من أن تصنيع HBM3E قد بدأ بكميات منخفضة جداً، إلا أنه يشير إلى بدء الإنتاج التجريبي. وتتطلب مواصفات JEDEC القياسية عرضاً يبلغ 1,024 بت مع سرعات تتراوح من 9.2 Gbps إلى 12.4 Gbps لكل دبوس، مستهدفة حوالي 1.2 TB/s إجمالي عرض النطاق الترددي. وتتراوح السعات من 24 GB باستخدام تكديس 8-high إلى 36 GB باستخدام تكديس 12-high. وتستهدف CXMT تحقيق 350,000 رقاقة DRAM شهرياً بحلول نهاية العام، مع خطط للتوسع أكثر. وتدير الشركة مصنعين بحجم 12 بوصة في خفي وبكين، ينتج كل منهما حوالي 100,000 رقاقة شهرياً، مما ينتج عنه إنتاج مشترك حالي يبلغ حوالي 200,000 رقاقة شهرياً. وتهدف CXMT إلى مضاعفة هذه الطاقة ثلاث مرات لتصل إلى 600,000 رقاقة شهرياً عند اكتمال مصانعها في شنغهاي وخفي. ويشير التقدم السريع من الإنتاج التجريبي إلى الإنتاج الضخم إلى أن التصنيع بكميات كبيرة قد يصل خلال أسابيع.