Segundo The Information, o gigante chinês de memória CXMT teria começado a produção de risco de memória HBM3E. Isso marca um marco significativo, pois os fabricantes chineses estão atualmente duas gerações atrás das empresas sul-coreanas que estão transitando para HBM4E. Embora a fabricação de HBM3E tenha começado em quantidades muito baixas, ela sinaliza o início da produção de risco.

A especificação JEDEC padrão requer uma largura de 1.024 bits com velocidades variando de 9.2 Gbps a 12.4 Gbps por pino, visando aproximadamente 1.2 TB/s de largura de banda total. As capacidades variam de 24 GB usando pilhas 8-high a 36 GB usando pilhas 12-high. A CXMT está no caminho para atingir 350.000 wafers DRAM por mês até o final do ano, com planos de escalar ainda mais.

A empresa opera duas fabs de 12 polegadas em Hefei e Pequim, cada uma produzindo aproximadamente 100.000 wafers mensais, resultando em uma produção combinada atual de aproximadamente 200.000 wafers por mês. A CXMT visa triplicar essa capacidade para 600.000 wafers por mês após a conclusão de suas fábricas em Xangai e Hefei. A rápida progressão da produção de risco para produção em massa sugere que a fabricação de alto volume pode chegar em semanas.