Samsung Electronics und ASML haben eine erweiterte strategische Partnerschaft angekündigt, um High NA EUV und nächste Generation Halbleiterfertigung für das AI-Zeitalter voranzutreiben. Die Zusammenarbeit umfasst Samsungs Beitritt zu einer Brancheninitiative, von 6-Zoll auf 12-Zoll-Fotomaske Technologie zu wechseln, was voraussichtlich die Fab-Produktivität erhöht, die Chipfertigungskosten sennt und Stitching-Beschränkungen für High NA EUV entfernt. Mit seinem Führungsanspruch in der Memory- und Foundry-Fertigung wird Samsung die erforderlichen Fotomaske-Technologien und die Infrastruktur mitentwickeln.

Samsung plant, ASMLs High NA EUV-Lithographie in zukünftige DRAM-Hochvolumenfertigung bis 2028 einzuführen, erstmals für die Branche. Dies zielt darauf ab, die DRAM-Skala-Roadmap durch verbesserte Auflösung, Prozessvereinfachung und erhöhte Effizienz zu erweitern. Die Unternehmen betonten ein gemeinsames Engagement für Innovation und langfristige Partnerschaft in den Bereichen fortschrittliche Memory und Logik.

Young Hyun Jun von Samsung sagte, dass das AI-Zeitalter die Bedeutung technologischer Innovation entlang der Wertschöpfungskette erhöht und die Zusammenarbeit mit ASML die Grundlage für nächste Generation Innovation legt. Christophe Fouquet von ASML nannte Samsung einen seiner wichtigsten Innovationspartner und hob die kritische Rolle der engen Kundenzusammenarbeit in der neuen, durch KI getriebenen Ära hervor.