三星电子和ASML宣布扩大战略合作，推进高NA EUV光刻和下一代半导体制造，以服务于AI时代。合作内容包括三星加入行业倡议，从6英寸过渡到12英寸光罩技术，预计将提高产能、降低制造成本并消除高NA EUV的拼接限制。凭借在存储器和代工制造方面的领先地位，三星将帮助开发所需的光罩技术和基础设施。

三星计划在2028年前向未来的DRAM大规模生产引入ASML的高NA EUV光刻技术，这将是行业首次。此举旨在通过提高分辨率、简化工艺和提高效率来延长DRAM扩展路线图。两家公司强调对创新和长期合作的共同承诺，涵盖先进存储和逻辑应用。

三星的Young Hyun Jun表示，AI时代提高了价值链中技术创新的重要性，加强与ASML的合作为下一代创新奠定了基础。ASML的Christophe Fouquet将三星视为其最重要的创新合作伙伴，并强调了在新的AI驱动时代中与客户紧密合作的关键作用。