Samsung Electronics y ASML anunciaron una asociación estratégica ampliada para avanzar en la litografía NA EUV alto y la fabricación de semiconductores de próxima generación para la era de la IA. La colaboración incluye a Samsung unirse a una iniciativa industrial para pasar de la máscara de fotolitografía de 6 pulgadas a máscaras de fotolitografía de 12 pulgadas, lo que se espera aumente la productividad de las fábricas, reduzca los costos de fabricación de chips y eliminara las limitaciones de unión para NA EUV alto. Aprovechando su liderazgo en la fabricación de memoria y foundry, Samsung ayudará a desarrollar las tecnologías de máscara e infraestructura necesarias.

Samsung también planea introducir la litografía NA EUV alto de ASML en la futura producción a gran escala de DRAM para 2028, un primer caso para la industria. Este movimiento busca extender la hoja de ruta de escalado de DRAM mediante una resolución mejorada, simplificación del proceso y mayor eficiencia. Las empresas enfatizaron un compromiso compartido con la innovación y una asociación a largo plazo en aplicaciones avanzadas de memoria y lógica.

Young Hyun Jun de Samsung afirmó que la era de la IA aumenta la importancia de la innovación tecnológica a lo largo de la cadena de valor, y fortalecer la colaboración con ASML sentará las bases para la innovación de próxima generación. Christophe Fouquet de ASML consideró a Samsung como uno de sus socios de innovación más importantes y destacó el papel crítico de la colaboración cercana con el cliente en la nueva era impulsada por la IA.