Samsung Electronics e ASML anunciaram parceria estratégica expandida para avançar na litografia NA EUV alto e fabricação de semicondutores de próxima geração para a era da IA. A colaboração inclui Samsung ingressando em uma iniciativa do setor para passar de máscara de fotolitografia de 6 polegadas para máscara de fotolitografia de 12 polegadas, o que se espera aumente a produtividade das fábricas, reduza os custos de fabricação de chips e remova restrições de stitching para NA EUV alto. Aproveitando seu liderado na fabricação de memória e foundry, Samsung ajudará a desenvolver as tecnologias de máscara e infraestrutura necessárias.

Samsung também planeja introduzir a litografia NA EUV alto da ASML na futura produção em grande escala de DRAM para 2028, um primeiro para a indústria. Esse movimento visa estender o roteiro de escalonamento do DRAM através de resolução melhorada, simplificação do processo e maior eficiência. As empresas enfatizaram um compromisso compartilhado com inovação e parceria de longo prazo em aplicações avançadas de memória e lógica.

Young Hyun Jun da Samsung afirmou que a era da IA aumenta a importância da inovação tecnológica ao longo da cadeia de valor, e fortalecer a colaboração com ASML prepara o terreno para a inovação de próxima geração. Christophe Fouquet da ASML considerou Samsung um de seus parceiros de inovação mais importantes e destacou o papel crítico da colaboração próxima com o cliente na nova era impulsionada pela IA.