Micron Technology, Inc.（Nasdaq: MU）宣布推出全球首款在多个服务器平台上运行的512 GB DDR5模块。AMD和Intel正在验证该模块，其速度高达9,200 MT/s。

该模块采用先进的垂直互连封装技术，通过硅通孔（TSV）堆叠DRAM芯片以最大化密度。它使单台24插槽双路服务器可支持高达12 TB的DDR5 DRAM。

Micron高级副总裁Raj Narasimhan表示，512 GB RDIMM支持更大规模的AI和数据库工作负载、更高的虚拟化密度以及更优的能效。与四个128 GB RDIMM相比，它将运行功耗降低超过60%，并为Spark SVM等内存密集型工作负载提供高达1.4倍的性能提升。

生态系统合作伙伴AMD和Intel正在合作，在下一代服务器平台上验证该模块。AMD的Amit Goel和Intel的Karin Eibschitz Segal强调了内存容量和带宽对AI及数据密集型工作负载的重要性。

关键实体：公司：Micron Technology、AMD、Intel、JPMorgan Chase | 人物：Raj Narasimhan、Amit Goel、Karin Eibschitz Segal、Darrin Alves

FAQ：Micron新款DDR5 RDIMM的容量和速度是多少？

Micron新款DDR5 RDIMM的容量为512 GB，速度高达9,200 MT/s。

FAQ Q：Micron新款DDR5 RDIMM的容量和速度是多少？

FAQ A：Micron新款DDR5 RDIMM的容量为512 GB，速度高达9,200 MT/s。