أعلنت Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) عن أول وحدة DDR5 بسعة 512 جيجابايت في العالم على منصات خوادم متعددة. وتتحقق AMD وIntel من الوحدة، التي توفر سرعات تصل إلى 9,200 MT/s.

تستخدم الوحدة تغليفًا متقدمًا للترابط العمودي، وتكدس شرائح DRAM عبر فتحات السيليكون (TSV) لتعظيم الكثافة. وهي تتيح ما يصل إلى 12 تيرابايت من DDR5 DRAM في خادم واحد ثنائي المقبس بـ24 فتحة.

قال Raj Narasimhan، النائب الأول للرئيس في Micron، إن وحدة RDIMM بسعة 512 جيجابايت تدعم أحمال عمل أكبر للذكاء الاصطناعي وقواعد البيانات، وكثافة افتراضية أعلى، وكفاءة طاقة محسّنة. وهي تقلل طاقة التشغيل بأكثر من 60% مقارنة بأربع وحدات RDIMM بسعة 128 جيجابايت، وتوفر أداءً أعلى يصل إلى 1.4x لأحمال العمل المحدودة بالذاكرة مثل Spark SVM.

يتعاون شركاء المنظومة AMD وIntel للتحقق من الوحدة عبر منصات الخوادم من الجيل التالي. وسلّط Amit Goel من AMD وKarin Eibschitz Segal من Intel الضوء على أهمية سعة الذاكرة وعرض النطاق الترددي لأحمال عمل الذكاء الاصطناعي والبيانات المكثفة.

الكيانات الرئيسية: الشركات: Micron Technology، AMD، Intel، JPMorgan Chase | الأشخاص: Raj Narasimhan، Amit Goel، Karin Eibschitz Segal، Darrin Alves