Micron Technology, Inc. (Nasdaq: MU) объявила о выпуске первого в мире модуля DDR5 на 512 ГБ на нескольких серверных платформах. AMD и Intel валидируют этот модуль, обеспечивающий скорость до 9 200 MT/s.

Модуль использует передовую упаковку с вертикальными межсоединениями, stacking DRAM-кристаллов с сквозными кремниевыми переходами (TSV) для максимизации плотности. Он позволяет разместить до 12 ТБ DDR5 DRAM в одном двухсокетном сервере с 24 слотами.

Raj Narasimhan, старший вице-президент Micron, заявил, что RDIMM на 512 ГБ поддерживает более крупные рабочие нагрузки ИИ и баз данных, большую плотность виртуализации и повышенную энергоэффективность. Он снижает рабочую мощность более чем на 60% по сравнению с четырьмя RDIMM на 128 ГБ и обеспечивает до 1,4x более высокую производительность для рабочих нагрузок, ограниченных памятью, таких как Spark SVM.

Партнёры экосистемы AMD и Intel сотрудничают для валидации модуля на серверных платформах следующего поколения. Amit Goel из AMD и Karin Eibschitz Segal из Intel подчеркнули важность ёмкости памяти и пропускной способности для рабочих нагрузок ИИ и интенсивной обработки данных.

Ключевые субъекты: Компании: Micron Technology, AMD, Intel, JPMorgan Chase | Люди: Raj Narasimhan, Amit Goel, Karin Eibschitz Segal, Darrin Alves