ASML Holding N. V. et Taiwan Semiconductor Manufacturing Company ont annoncé une initiative collaborative pour diriger l'industrie vers la transition vers des photomaskes de lithographie Extreme Ultraviolet (EUV) de plus grande taille. Bien que le High NA EUV soit adopté pour la production avec des masques de 6 pouces actuels, la transition vers des masques de 12 pouces devrait augmenter la productivité des usines, réduire les coûts de fabrication des puces et éliminer les contraintes de stitching.

Christophe Fouquet, président et CEO d'ASML, a déclaré que l'adoption du High NA EUV s'intensifiera progressivement selon la feuille de route de scaling des dispositifs, d'abord en utilisant les masques actuels, puis en s'appuyant sur des masques de 12 pouces pour augmenter la productivité des scanners. Dr. C. C. Wei, président et CEO de TSMC, a souligné que la collaboration industrielle débloque des possibilités que toute entreprise individuelle ne pourrait pas réaliser.

TSMC prévoit d'utiliser la technologie High NA d'ASML dans la fabrication à grande volume pour les nœuds avancés à partir de 2030. Le 7 septembre, avant la conférence SPIE BACUS à Monterey, Californie, ASML et TSMC ont établi une initiative collaborative à l'échelle industrielle pour promouvoir la transition vers des masques de 12 pouces. Ce mouvement vise à établir une ligne pilote de masques de 12 pouces d'ici 2031, ouvrant la voie à l'entrée des systèmes de lithographie High-NA de 12 pouces dans la production de nœuds avancés en 2033.

Les principaux partenaires de l'écosystème et les fournisseurs ont assisté à l'événement et ont exprimé un fort intérêt pour cette transition.