ASML Holding N. V. y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company anunciaron una iniciativa colaborativa para liderar la transición de la industria hacia fotomáscaras de litografía Extreme Ultraviolet (EUV) de mayor formato. Aunque el EUV de alta NA se adoptará para producción con máscaras de 6 pulgadas actuales, la transición a máscaras de 12 pulgadas se espera que aumente la productividad de las fábricas, reduzca los costos de fabricación de chips y elimine las restricciones de ensamblaje.

Christophe Fouquet, presidente y CEO de ASML, declaró que la adopción del EUV de alta NA se incrementará progresivamente según la hoja de ruta de escalado de dispositivos, inicialmente utilizando máscaras actuales y luego apoyada por máscaras de 12 pulgadas para mejorar la productividad de los escáneres. El presidente y CEO de TSMC, Dr. C. C.

Wei, enfatizó que la colaboración industrial desbloquea posibilidades que ninguna empresa individual podría lograr. TSMC planea utilizar la tecnología de alta NA de ASML en manufactura de alta volumen para nodos avanzados a partir de 2030. El 7 de septiembre, antes de la Conferencia SPIE BACUS en Monterey, California, ASML y TSMC establecieron una iniciativa colaborativa a nivel industrial para impulsar la transición a máscaras de 12 pulgadas.

Este esfuerzo busca establecer una línea piloto de máscaras de 12 pulgadas para 2031, sentando las bases para que los sistemas de litografía High-NA de 12 pulgadas entren en producción de nodos avanzados en 2033. Los principales socios del ecosistema y proveedores asistieron al evento y expresaron un fuerte interés en esta transición.