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TSMC ASML引领12英寸EUV光掩模过渡

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ASML Holding N. V. 和台湾半导体制造公司宣布合作,引领半导体行业向更大尺寸的极紫外(EUV)光刻光掩模过渡。虽然高NA EUV将采用当前6英寸掩模进行量产,但向12英寸掩模的过渡预计将提升晶圆厂生产效率、降低制造成本并消除拼接限制。ASML总裁兼首席执行官 Christophe Fouquet 表示,高NA EUV的采用将随着制程节点缩放逐步推进,首先使用当前掩模,随后通过12英寸掩模提升扫描效率。台积电董事长兼首席执行官 Dr. C. C.

Wei 强调,产业合作能 unlock 单个公司难以实现的可能性。台积电计划在2030年起在先进节点的高产量制造中使用ASML的高NA技术。2023年9月7日,在墨西哥加州Monterey SPIE BACUS会议前夕,ASML与台积电建立产业合作,推动向12英寸光掩模过渡。此举旨在2031年前建立12英寸掩模试产线,为2033年高NA光刻系统进入先进节点制造铺平道路。主要生态系统合作伙伴和供应商出席会议并表达强烈兴趣。.