Kioxia Corporation a annoncé qu'elle avait commencé la préparation du site pour Fab3, une nouvelle installation de fabrication de pointe située à l'usine Kitakami dans la préfecture d'Iwate au Japon. Cette installation vise à augmenter la capacité de production de mémoire flash tridimensionnelle Bi CS FLASH avancée. Fab3 sera construite sur un terrain au sud de Fab2, avec un lancement ciblé pour l'exercice fiscal 2029.

Le marché de la mémoire flash devrait croître considérablement, stimulé par l'IA agente, l'IA physique et l'IA embarquée. Grâce à Fab3, Kioxia souhaite répondre à la demande croissante en augmentant la production et en assurant un approvisionnement stable de produits de mémoire flash de pointe.

Les plans détaillés de Fab3, y compris le calendrier de construction et les investissements en équipements, seront déterminés en fonction des tendances du marché. Les investissements sont conditionnels au soutien gouvernemental. Dans le cadre de sa mission "d'élever le monde avec 'la mémoire'", Kioxia s'engage à saisir la demande croissante, à réaliser des investissements stratégiques en capital et à poursuivre une croissance stable et durable.

Source: TechPowerUp News

Entités clés: Entreprises: Kioxia Corporation | Localisations: Kitakami Plant, préfecture d'Iwate, Japon